| Sn掺杂对In_2O_3热电性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 胡阳,叶灵云,闫玉丽. Sn掺杂对In_2O_3热电性能的影响[J]. 原子与分子物理学报, 2019, 36(4): 668-674 |
| |
| 作者姓名： | 胡阳 叶灵云 闫玉丽 |
| |
| 作者单位： | 河南大学物理与电子学院,郑州成功财经学院，国际经济与贸易系,河南大学物理与电子学院 |
| |
| 摘 要： | 本文利用第一性原理结合半经典玻尔兹曼理论研究了Sn掺杂对In_2O_3热电特性的影响.由于一个In_2O_3原胞有80个原子,所以为了清楚表明Sn的掺杂浓度,我们将化学式表述为In_(32-x)Sn_xO_(48).形成能的计算表明Sn比较容易取代In位,且Inb位比Ind位更容易被取代.且只有x=1,形成能是负值,而x=2和3的形成能是正值.电子结构的计算表明Sn掺杂对In_2O_3的能带结构的形状影响很小,只是费米能级向导带方向移动了,基于这一点我们预测刚性带模拟In_2O_3的电子热电特性和实际Sn掺杂的应该比较接近.输运性质的计算表明在价带顶或导带底附近,电子输运性质随化学势发生明显的变化,而在价带以上导带以下的一定化学势范围内,虽然S,σ/τ和n随化学势和温度变化比较大,ZeT随化学势和温度几乎没有变化,且n型和p型掺杂下的ZeT非常接近,大小在1附近.令人兴奋的是,通过将刚性带模型计算In_2O_3电子输运性质和实验结果对比,发现当温度为1000 K,化学势为0.6512 Ry时的实验ZT=0.28和理论0.273非常接近.而此化学势远在导带底以上,说明如果选择较低的掺杂浓度,In_2O_3的输运性质有望进一步提高.
|
| 关 键 词： | 密度泛函理论，热电特性，电子结构，Sn掺杂In2O3 |
| 收稿时间： | 2018-09-03 |
| 修稿时间： | 2018-09-26 |
Thermoelectric Properties of Sn Doped In2O3 |
| |
| Hu Yang,Ye Ling-Yun and Yan Yu-Li. Thermoelectric Properties of Sn Doped In2O3[J]. Journal of Atomic and Molecular Physics, 2019, 36(4): 668-674 |
| |
| Authors: | Hu Yang Ye Ling-Yun Yan Yu-Li |
| |
| Affiliation: | Department of Physics, Henan University,Department of International Economics and Trade, Successful Finance and Economics College and Department of Physics, Henan University |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Density functional Thermoelectric properties Seebeck coefficient In2-xSnxO3 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《原子与分子物理学报》下载全文 |
|
