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| 过渡金属原子掺杂对单层MoS_2磁性的影响 | |
| 作者姓名： | 牛兴平 窦立璇 |
| 作者单位： | 安阳工学院数理学院,安阳工学院数理学院 |
| 摘 要： | 本文利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法分别计算了本征及过渡金属掺杂单层MoS_2的晶格参数、电子结构和磁性性质.计算结果显示,过渡金属掺杂所引起的晶格畸变与杂质原子的共价半径有联系,但并不完全取决于共价半径的大小.分析电子结构可以看到,VIIB、VIII和IB族杂质中除Ag和Re外的掺杂体系都对外显示磁性,磁矩主要集中在掺杂的过渡金属原子上.掺杂体系的禁带区域都出现了数目不等的杂质能级,这些杂质能级主要由杂质的d、S的3p和Mo的4d轨道组成. |
| 关 键 词： | 过渡金属掺杂 二硫化钼 电子结构 磁性性质 |
| 收稿时间： | 2017-12-26 |
| 修稿时间： | 2018-02-02 |
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