| CsSi_n~u(n=2-12;u=±1)团簇结构与电子性质的密度泛函研究 |
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| 作者姓名： | 哈申图雅 张帅 高振海 李根全 罗长更 |
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| 作者单位： | 通辽职业学院,河南省南阳师范学院,南阳师范学院,南阳师范学院,南阳师范学院 |
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| 基金项目： | 2016年度河南省高等学校重点科研项目(16A430023) |
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| 摘 要： | 运用卡利普索结构预测方法并结合密度泛函理论中的杂化密度泛函B3LYP方法对CsSi_n~u(n=2-12;u=±1)进行了系统的研究.结果发现:除了CsSi_7~(+1)与CsSi_(2,4,6,10)~(-1)之外,大多数CsSi_n~(±1)团簇的基态结构与对应中性CsSi_n团簇的结构不相同;稳定性分析显示得失电子明显提高了体系的稳定性,CsSi_(4,7,9)~(+1)与CsSi_(2,5)~(-1)分别在对应团簇中具有相对较高的稳定性;Cs原子总是占有正电荷.最后讨论了团簇的电离势、电子亲和能与结构之间的关系.
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| 关 键 词： | CsSin±1团簇 基态结构 电子性质 |
| 收稿时间： | 2017-12-06 |
| 修稿时间： | 2018-01-08 |
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