| La掺杂6H-SiC电子结构和光学性质的第一性原理研究 |
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| 作者姓名： | 邹江 周庭艳 熊中刚 曾丽娟 吴波 |
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| 作者单位： | 遵义师范学院,遵义师范学院,桂林航天工业学院,遵义师范学院,遵义师范学院 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及La掺杂6H-SiC的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明,未掺杂6H-SiC是间接带隙半导体,其禁带宽度为2.045 eV,掺杂La元素,形成P型间接半导体,带隙宽度下降为0.886 eV.未掺杂6H-SiC在价带的低能区,Si-3s、C-2s电子轨道对态密度的贡献较大,在价带的高能区,主要是由Si-3p、Si-3s、C-2p态组成.掺杂后La的5d轨道与6H-SiC的sp~3轨道杂化主要贡献在价带部分,而对导带的贡献相对较小,掺杂后电导率提高.未掺杂时,只有一个介电峰,是价带电子跃迁到导带电子所致,掺杂后有两个介电峰,其中第一个介电峰是由sp~3杂化轨道上的电子跃迁到La原子5d轨道上产生.未掺杂6H-SiC,在能量为10.31处吸收系数达到最大值,掺杂后在能量为7.35 eV处,吸收系数达到最大值.
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| 关 键 词： | 第一性原理 掺杂 6H-SiC 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2019-03-25 |
| 修稿时间： | 2019-04-24 |
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