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| 高质量ZnSe单晶的研究 | |
| 作者姓名： | 顾庆天 |
| 摘 要： | 本文报道了以Ｉ２作输运剂，用化学气相沉积法生长ＺｎＳｅ单晶的实验结果，其生长条件为升华温度８５０－９００℃，生长管内温差１５－２０℃，温度梯度小于２℃／ｃｍ并采用了特殊形状的生长管来控制原料的输运及生长速度。经过３０天左右的生长，得到了长３０ｍｍ，直径１５ｍｍ的桔黄色ＺｎＳｅ单晶。 |
| 关 键 词： | 硒化锌 晶体 化学气相沉积 单晶 气相沉积 |
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