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宽禁带半导体SiC紫外光电探测器研究进展
引用本文:张峰,付钊,张泽阳,李子豪,吴正云.宽禁带半导体SiC紫外光电探测器研究进展[J].厦门大学学报(自然科学版),2023(2):254-268.
作者姓名:张峰  付钊  张泽阳  李子豪  吴正云
作者单位:厦门大学物理科学与技术学院
基金项目:国家自然科学基金(62274137);;福建省杰出青年科学基金(2020J06002);
摘    要:紫外光电探测器在天气监测、火灾告警、空间探测、细胞检测以及紫外辐射测量方面有着广泛的应用,具有重要的研究价值.宽带隙半导体碳化硅(SiC)天然具有紫外波段的探测优势.近年来,随着SiC材料与器件技术的不断突破,全球诸多研究小组利用SiC研制出各种高性能紫外光电探测器.本文围绕4种典型结构的SiC紫外探测器,从新结构、新工艺、新材料几个方面总结回顾过去几十年国内外及厦门大学SiC课题组的研究历程与进展,分析目前SiC探测器研究所面临的问题与挑战,并提出相应的解决方案,阐明SiC紫外探测器未来发展的趋势以及重要的应用领域.

关 键 词:光电流  响应度  量子效率  探测率
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