| 基于直流磁控溅射室温制备ZnO薄膜研究 |
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| 引用本文： | 赵晓锋,温殿忠,高来勖.基于直流磁控溅射室温制备ZnO薄膜研究[J].人工晶体学报,2008,37(2):461-465. |
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| 作者姓名： | 赵晓锋 温殿忠 高来勖 |
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| 作者单位： | 黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,哈尔滨,150080;黑龙江大学集成电路重点实验室,哈尔滨,150080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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黑龙江省教育厅科学技术研究项目
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电子工程黑龙江省高校重点实验室项目 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射法在P型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不同退火温度对室温生长ZnO薄膜微结构、表面形貌和,Ⅰ-Ⅴ特性影响.实验结果表明,室温生长的ZnO薄膜为非晶态,随退火温度增加,ZnO薄膜出现(002)、(100)、(101)晶面衍射峰且逐渐增强,晶粒大小相对增加,在700℃退火后,呈高度c轴择优取向,晶粒间界明显,拉曼光谱E2模增强.
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 ZnO薄膜 晶粒 晶粒间界 |
| 文章编号： | 1000-985X(2008)02-0461-05 |
| 修稿时间： | 2007年7月16日 |
Preparation Research of ZnO Thin Films at Room-temperature by DC Magnetron Sputtering |
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| ZHAO Xiao-feng,WEN Dian-zhong,GAO Lai-xu.Preparation Research of ZnO Thin Films at Room-temperature by DC Magnetron Sputtering[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(2):461-465. |
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| Authors: | ZHAO Xiao-feng WEN Dian-zhong GAO Lai-xu |
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| Keywords: | |
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