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(113)面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光
引用本文:司俊杰,杨沁清,滕达,王红杰,余金中,王启明,郭丽伟,周均铭.(113)面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光[J].物理学报,1999,48(9):1745-1750.
作者姓名:司俊杰  杨沁清  滕达  王红杰  余金中  王启明  郭丽伟  周均铭
作者单位:(1)中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083; (2)中国科学院物理研究所,北京 100080
摘    要:用透射电子显微镜观察了Si(113)衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌,测量了其原生及退火后低温下的光荧光谱.对所得结果进行了分析. 关键词

关 键 词:  衬底  自组织生长  锗硅量子点  荧光谱
收稿时间:1998-08-10
修稿时间:1/2/1999 12:00:00 AM

MORPHOLOGY AND PHOTOLUMINESCENCE OF GeSi SELF-ASSEMBLED QUANTUM DOT ON Si(113)
SI JUN-JIE,YANG QIN-QING,TENG DA,WANG HONG-JIE,YU JIN-ZHONG,WANG QI-MING,GUO LI-WEI and ZHOU JUN-MING.MORPHOLOGY AND PHOTOLUMINESCENCE OF GeSi SELF-ASSEMBLED QUANTUM DOT ON Si(113)[J].Acta Physica Sinica,1999,48(9):1745-1750.
Authors:SI JUN-JIE  YANG QIN-QING  TENG DA  WANG HONG-JIE  YU JIN-ZHONG  WANG QI-MING  GUO LI-WEI and ZHOU JUN-MING
Abstract:Morphology of self-assembled GeSi quantum dot grown on Si(113) by Si molecular beam epitaxy has been studied by transmission electron microscopy and atomic force microscopy.Photoluminescence from the as-grown sample and annealed sample was studied.The res
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