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非晶Si/SiO2超晶格结构的交流电致发光
作者单位::孙甲明(中国科学院激发态物理开放研究实验室, 吉林长春 130021);(中国科学院长春物理研究所, 吉林 长春 130021);钟国柱(中国科学院激发态物理开放研究实验室, 吉林长春 130021);(中国科学院长春物理研究所, 吉林 长春 130021);范希武(中国科学院激发态物理开放研究实验室, 吉林长春 130021)
摘    要:设计并用磁控溅射方法制备了非晶Si/SiO

关 键 词:超晶格; 电致发光; Si量子点
文章编号:1000-7032(2000)01-0024-05
修稿时间:1999-04-05
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