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| 利用霍尔效应研究热退火对黑硅材料电学性质的影响 | |
| 引用本文： | 王科范,刘平安.利用霍尔效应研究热退火对黑硅材料电学性质的影响[J].物理实验,2014(10). |
| 作者姓名： | 王科范 刘平安 |
| 作者单位： | 河南大学微系统物理研究所;河南大学普通物理实验教学中心; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助(No.61204002) |
| 摘 要： | 利用霍尔效应测量了不同温度热退火后的黑硅的霍尔系数、载流子浓度、载流子迁移率和电导率.随着热退火温度的升高,黑硅内载流子的浓度缓慢下降,载流子迁移率却同步增加,这说明黑硅内载流子散射的主要形式是电离杂质散射. |
| 关 键 词： | 黑硅 霍尔效应 载流子浓度 迁移率 |
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