纯化的ZnTe的光电研究及对Ⅱ-Ⅵ族半导体的关系

对纯化的未掺杂和再掺杂的ZnTe的边缘光致发光的研究表明:长期以来把一些固有的浅受主归因于双次离化阴离子空位受主或施主受主复合体的观点是不正确的。从束缚激子发光伴线以及从施主受主对发光的激发光谱所揭示的受主和施主激发态正确估计了杂质和能带的参数。