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| GaAs和AlGaAs MBE外延生长动力学研究 | |
| 引用本文： | 陈益栋,刘兴权.GaAs和AlGaAs MBE外延生长动力学研究[J].红外与毫米波学报,2000,19(1):67-70. |
| 作者姓名： | 陈益栋 刘兴权 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家实验室,上海,200083;吉林大学电子工程系,吉林,长春,130023 2. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家实验室,上海,200083 3. 吉林大学电子工程系,吉林,长春,130023 |
| 基金项目： | 中国科学院资助项目，国家重点基础研究发展计划(973计划)，69776018，19525409，， |
| 摘 要： | 研究了在ＧａＡｓ（００１）衬底上外延生长ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料过程中反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）的各级条纹及其强度随生长过程的变化。通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析，应用二维成核层状生长模型解释了实验结果：生长表面形貌的周期性变化导致了ＲＨＥＥＤ各级条纹及其强度的周期性变化。 |
| 关 键 词： | 分子束外延 砷化镓 半导体 AlGaAs |
| 修稿时间： | 1999-02-03 |
STUDY OF THE GaAs, AlGaAs MBE GROWTH DYNAMICS |
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| CHEN Yi-Dong,LIU Xing-Quan,LU Wei,QIAO Yi-Min,WANG Xian-Ren.STUDY OF THE GaAs, AlGaAs MBE GROWTH DYNAMICS[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2000,19(1):67-70. | |
| Authors: | CHEN Yi-Dong LIU Xing-Quan LU Wei QIAO Yi-Min WANG Xian-Ren |
| Abstract: | |
| Keywords: | MBE RHEED real time monitoring GaAs AlGaAs |
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