| 1OOV高压pMOS器件研制 |
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| 引用本文： | 宋李梅,李桦,杜寰,夏洋,韩郑生. 1OOV高压pMOS器件研制[J]. 半导体学报, 2006, 27(z1): 275-278 |
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| 作者姓名： | 宋李梅 李桦 杜寰 夏洋 韩郑生 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-158V,栅压-100V时饱和驱动电流达17mA(W/L=100μm/2μm),可以在100V高压下安全工作.
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| 关 键 词： | 高压集成电路 LDMOS 厚栅氧 pMOS 器件设计 Devices High Voltage 安全工作 驱动电流 栅压 击穿电压 关态 结果 实验 工艺流程 工艺兼容 CMOS 标准 开发 优化 模拟 结构及性能 软件 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0275-04 |
| 修稿时间： | 2005-10-11 |
Development of High Voltage pMOS Devices |
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| Song Limei,Li Hua,Du Huan,Xia Yang,Han Zhengsheng. Development of High Voltage pMOS Devices[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(z1): 275-278 |
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| Authors: | Song Limei Li Hua Du Huan Xia Yang Han Zhengsheng |
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