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| 1.8—4.2K GaAs_(1-x)P_x注N~+,注Zn~+光荧光谱 | |
| 作者姓名： | 徐俊英 陈良惠 弓继书 徐仲英 庄蔚华 李玉璋 许继宗 吴灵犀 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所(徐俊英，陈良惠，弓继书，徐仲英，庄蔚华，李玉璋，许继宗)，中国科学院半导体研究所(吴灵犀) |
| 摘 要： | 本文研究了1.8—4.2K下离子注N,注Zn GaAs_(1-x)P_x样品的光致发光行为。实验结果表明由N-Zn跃迁完全转变到N束缚激子复合的x值依赖N,Zn的浓度。 利用Campbell局域化模型计算了N-Zn跃迁与N束缚激子复合的几率比。这一几率比是组分x和N-Zn浓度的函数。 在1.8K,在同一样品上我们清晰地观测到对应N-Zn跃迁与N束缚激子复合的光谱。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |