| 多晶硅化学气相沉积反应的三维数值模拟 |
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| 引用本文： | 夏小霞,周乃君,王志奇.多晶硅化学气相沉积反应的三维数值模拟[J].人工晶体学报,2014,43(3):569-575. |
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| 作者姓名： | 夏小霞 周乃君 王志奇 |
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| 作者单位： | 中南大学能源科学与工程学院,长沙410083;湘潭大学机械工程学院,湘潭411105;中南大学能源科学与工程学院,长沙,410083;湘潭大学机械工程学院,湘潭,411105 |
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| 基金项目： | 湖南省科技计划重点项目(2009GK2009);湖南省教育厅一般项目(12C0379) |
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| 摘 要： | 建立了多晶硅化学气相沉积反应的三维模型,同时考虑质量、能量和动量传递,利用CFD软件对炉内的流动、传热和化学反应过程进行了数值模拟,并分析了硅沉积速率、SiHC13转化率、硅产率以及单位能耗随H2摩尔分数的变化规律.结果表明:计算结果与文献数据吻合较好;随着硅棒高度的增加,硅沉积速率不断增大;最佳的进气H2摩尔分数范围为0.8 ～0.85.
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| 关 键 词： | 多晶硅 化学气相沉积 数值模拟 沉积速率 |
Three-dimensional Numerical Simulation of Chemical Vapor Deposition of Polysilicon |
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| XIA Xiao-xia,ZHOU Nai-jun,WANG Zhi-qi.Three-dimensional Numerical Simulation of Chemical Vapor Deposition of Polysilicon[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(3):569-575. |
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| Authors: | XIA Xiao-xia ZHOU Nai-jun WANG Zhi-qi |
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