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TGS晶体生长多形性和其表面扩散生长机制
引用本文:孙大亮,于锡玲,王 燕,顾庆天.TGS晶体生长多形性和其表面扩散生长机制[J].物理学报,2000,49(9):1873-1877.
作者姓名:孙大亮  于锡玲  王 燕  顾庆天
作者单位:山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250100
基金项目:国家自然科学基金(批准号:59832080(重点项目)和59823003)资助的课题.
摘    要:选取了TGS晶体的(001),(110),(010)和(100)四个面为研究对象,分析讨论了TGS晶体的表面扩散螺位错生长机制,发现生长基元的脱水化进入表面层过程与表面扩散过程相比,前者在TGS晶体的生长过程中起着更重要的作用;同时,在较高的相对过饱和度下,观察到了TGS自结体的两种简单晶形. 关键词: TGS晶体 生长多形性 表面扩散

关 键 词:TGS晶体  生长多形性  表面扩散
收稿时间:2/1/2000 12:00:00 AM

TGS CRYSTAL GROWTH POLYMORPHISM AND SURFACE DIFFUSION GROWTH MECHANISM
SUN DA-LIANG,YU XI-LING,WANG YAN and GU QING-TIAN.TGS CRYSTAL GROWTH POLYMORPHISM AND SURFACE DIFFUSION GROWTH MECHANISM[J].Acta Physica Sinica,2000,49(9):1873-1877.
Authors:SUN DA-LIANG  YU XI-LING  WANG YAN and GU QING-TIAN
Abstract:Four faces of TGS crystal were chosen to study the growth kinetics. BCF spiral growth mechanism for the surface diffusion model was analyzed using the kinetic data of the four faces. We found it is more important that the growth units enter the surface layer to grow after overcoming the dehydration activation energy, than the process of surface diffusion. Two simple crystal forms of TGS spontaneousnucleation crystals were also observed.
Keywords:TGS crystal  growth polymorphism  surface diffusion
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