Gaδ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应 |
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引用本文: | 胡古今,张雷,戴宁,陈良尧.Gaδ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应[J].半导体学报,2000,21(1):51-55. |
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作者姓名: | 胡古今 张雷 戴宁 陈良尧 |
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作者单位: | 复旦大学物理系半导体物理实验室 上海 200433 |
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摘 要: | 通过直接测量激光照射前后电阻随温度的变化关系,研究了Gaδ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应.被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应,其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为120K,另一块样品的淬灭温度接近290K.描述了对这类超晶格稳恒光电导现象的测量结果,讨论了掺杂过程对光电导淬灭温度的影响.
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关 键 词: | 光电导 超晶格 ZnSe |
文章编号: | 0253-4177(2000)01-0051-05 |
修稿时间: | 1998年10月8日 |
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