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| 用于硅烷掺杂薄层外延的不锈钢装置及其应用 | |
| 引用本文： | 陈庆贵,宋志庆,史日华,蔡希介.用于硅烷掺杂薄层外延的不锈钢装置及其应用[J].半导体技术,1984(5). |
| 作者姓名： | 陈庆贵 宋志庆 史日华 蔡希介 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (陈庆贵，宋志庆，史日华)，中国科学院上海冶金研究所(蔡希介) |
| 摘 要： | 设计制造了硅烷掺杂薄层外延的不锈钢装置.它具有氢气纯度高、密封性好、流量调节范围大等优点,并能进行N型掺杂或P型掺杂的外延膜生长.实验表明,既适用于同质薄层外延,也适合于异质薄层外延. |
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