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| 纳米Si-SiO_x和Si-SiN_x复合薄膜的低温制备及其发光特性 | |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心表面物理国家重点实验室 北京100080 (纪爱玲，马利波，刘澂)，中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心表面物理国家重点实验室 北京100080(王永谦) |
| 摘 要： | 用等离子体增强化学气相沉积法在低温 (低于 5 0℃ )衬底上沉积Si SiOx 和Si SiNx 复合薄膜 ,可得到平均颗粒尺寸小至 3nm的高密度 (最高可达 4 0× 10 1 2 cm- 2 )纳米硅复合薄膜 .5 0 0℃快速退火后 ,这种复合薄膜显现出优异的可见光全波段光致发光特性 .通过比较相同条件下所制备的纳米Si SiOx 和Si SiNx 复合薄膜的光致发光效率 ,发现纳米Si SiNx 具有更为优异的光致发光效率 ,这一点在可见光短波区表现得尤为显著 |
| 关 键 词： | 等离子体增强化学气相沉积 冷衬底 硅纳米颗粒 光致发光 |
Low temperature fabrication of nanostructured Si-SiO_x and Si-SiN_x composite films and their photoluminescence features |
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| Authors: | Ji Ai-Ling Ma Li_Bo Liu Cheng Wang Yong_Qian |
| Abstract: | |
| Keywords: | PECVD cold substrate silicon nanoparticles photoluminescence |
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