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Yb、Er双注入SI—InP发光中的浓度猝灭效应和光子雪崩现象研究
引用本文:曹望和,张联苏.Yb、Er双注入SI—InP发光中的浓度猝灭效应和光子雪崩现象研究[J].半导体学报,1993,14(5):318-321.
作者姓名:曹望和  张联苏
作者单位:中国科学院长春物理研究所,中国科学院长春物理研究所 长春 130021,长春 130021
摘    要:本文首次报道了Yb、Er双注入SI-Inp中Yb~(3+)1.04μm和Er~(3+)1.54μm发光行为,观察到了浓度相互猝灭效应和光子雪崩现象。

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