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| 半导体所在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展 | |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所; |
| 摘 要： | <正>中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕,在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的团队中,在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展。相关成果发表在2014年2月7日英国皇家化学会主办的《纳米尺度》(Nanoscale)上,并被选为"热点论文"(Hot Article)。二维半导体材料拥有独特的物理性质,可以应用于不同的技术领域,因此成为了纳米交叉学科的研究热点。石墨烯是目前研究最为广泛的二维材料,但由于其带隙为零,限制了它在许多领域中的应用。作为石墨烯的类似物,具有半导体带隙的金属硫化物备受关注。这些二维半导体材料的光电器件具有优越的性能,并 |
| 关 键 词： | 半导体材料 基础研究 新进展 中国科学院 二维材料 金属硫化物 光电器件 超晶格 国家重点实验室 物理性质 |
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