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| 半导体所在纳米线量子结构材料研究方面取得新进展 | |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所; |
| 摘 要： | <正>中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员牛智川课题组近年来深入系统地研究了In(Ga)As量子点、量子环、纳米线中量子点、纳米线中量子环的自组织外延生长、液滴外延生长方法。最近,课题组查国伟、喻颖等在研究中发现:通过优化GaAs纳米线侧壁淀积Ga液滴成核温度与晶化条件等参数,可以生长出密度与形貌可控量子点、量子环等新奇量子结构,首次发现单根纳米线侧壁形成单个"方形"量子环且具有高品质发光特性。(Nanoscale,10.1039(2013))。他们进一步生长了GaAs/AlGaAs纳米线中的GaAs量子点,以及置于AlGaAs量子环中心并覆盖AlGaAs |
| 关 键 词： | 纳米线 量子点 量子结构 半导体 中国科学院 子环 超晶格 首次发现 国家重点实验室 外延生长 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |