| 多孔硅的形成与发光 |
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| 引用本文： | 方容川,李清山.多孔硅的形成与发光[J].发光学报,1993,14(2):107-118. |
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| 作者姓名： | 方容川 李清山 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系, 结构分析开放实验室, 合肥 230026 |
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| 摘 要： | 本文综述了有关多孔硅(Porous Silicon,简称PS)某些新近的研究成果,包括多孔硅的形成、光致发光和电致发光,着重介绍多孔硅的形成和发光过程的量子尺寸效应.
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| 关 键 词： | 多孔硅的形成 光致发光 量子限制效应 |
| 收稿时间： | 1993-01-03 |
FORMATION AND LUMINESCENCE OF POROUS SILICON |
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| Fang Rongchuan Li Qingshan Ma Yurong.FORMATION AND LUMINESCENCE OF POROUS SILICON[J].Chinese Journal of Luminescence,1993,14(2):107-118. |
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| Authors: | Fang Rongchuan Li Qingshan Ma Yurong |
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| Institution: | Department of Physics, Structure Research Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei 230026 |
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| Abstract: | The recent progresses in porous silicon, including the formation process of porous silicon, photoluminescence and electroluminescence are reviewed, with emphasis on the formation process and quantum confinement effect in porous silicon. |
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| Keywords: | formation of porous silicon photoluminescence quantum confinement effect |
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