0.13μm CMOS芯片上窄脉冲成型电路 |
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引用本文: | 邹焕,李家胤,王平山.0.13μm CMOS芯片上窄脉冲成型电路[J].电路与系统学报,2011(4):131-134. |
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作者姓名: | 邹焕 李家胤 王平山 |
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作者单位: | 中国电子科技大学物理电子学院;美国克莱姆森大学电子计算机工程系 |
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摘 要: | 本文将脉冲功率领域中基于脉冲成型线的窄脉冲产生技术运用于芯片电路设计中,基于0.13μm的CMOS工艺,进行片上电路设计与实现.用CadenceTM Spectre Simulation进行了原理图和版图仿真分析,选用标准的片上共面波导(CPW)作为脉冲成型线(PFL),采用NMOS晶体管作为开关,仿真结果表明在共面波...
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关 键 词: | 脉冲成型线 脉冲产生器 CMOS 共面波导(CPW) |
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