| 沉积在熔融玻璃基底表面金薄膜的电输运特性 |
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| 引用本文： | 金进生.沉积在熔融玻璃基底表面金薄膜的电输运特性[J].浙江大学学报(理学版),2003,30(4):397-400. |
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| 作者姓名： | 金进生 |
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| 作者单位： | 浙江大学,物理系,浙江,杭州,310028 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(19874016)，浙江省青年人才基金资助项目(1997-RC9603). |
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| 摘 要： | 研究了沉积在熔融玻璃基底表面的金薄膜的电输运特性和阻温特性，实验结果表明，在电流小于50mA情况下，金薄膜在真空中的直流，—γ特性与传统的RRN模型计算结果相符合；在电流大于50mA情况下，它与传统薄膜系统的直流，—γ特性有很大区别，分析表明，熔融玻璃基底表面的非平整性以及不稳定性是影响此类薄膜特征电阻率的主要原因，此外，在一定条件下，金薄膜的阻温系数在温度为43K附近发生正负值转变。
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| 关 键 词： | 金薄膜 电输运特性 阻温特性 熔融玻璃基底 电阻率 沉积 阻温系数 |
| 文章编号： | 1008-9497(2003)04-397-04 |
| 修稿时间： | 2002年10月14 |
Electrical transportation properties of Au films deposited on melting glass surface |
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| JIN,Jin-Sheng-.Electrical transportation properties of Au films deposited on melting glass surface[J].Journal of Zhejiang University(Sciences Edition),2003,30(4):397-400. |
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| Authors: | JIN Jin-Sheng- |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | film electrical transportation resistivity-temperature dependence |
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