| (Si)n/(Ge)n超晶格几何结构 |
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| 引用本文： | 资剑,张开明. (Si)n/(Ge)n超晶格几何结构[J]. 物理学报, 1990, 39(10): 1640-1646 |
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| 作者姓名： | 资剑 张开明 |
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| 作者单位： | 复旦大学物理系,上海,200433 |
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| 摘 要： | 本文用Keating模型计算了Si1-xGex(x=0—1)作衬底、沿(100)方向生长的(Si)n/(Ge)n(n=1—6)应力超晶格的几何结构,并讨论了衬底对超晶格生长的影响,计算结果发现对于(Si)n/(Ge)n超晶格,用适当的Si1-xGex作衬底有利于超晶格的生长。关键词：
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| 关 键 词： | Si Ge 超晶格 生长 几何结构 |
| 收稿时间： | 1989-10-19 |
GEOMETRICAL CONFIGURATIONS OF (Si)n/(Ge)n SUPERLATTICES |
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| ZI JIAN and ZHANG KAI-MING. GEOMETRICAL CONFIGURATIONS OF (Si)n/(Ge)n SUPERLATTICES[J]. Acta Physica Sinica, 1990, 39(10): 1640-1646 |
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| Authors: | ZI JIAN and ZHANG KAI-MING |
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| Abstract: | The geometrical configurations of (100)-oriented (Si)n/(Ge)n (n = 1-6) strained superlat-tices on Si1-xGex(x = 0-1) substrates are calculated by using Keating model. The influence of substrate on the growth of the superlattices is discussed. The calculations indicate that proper choice of substrate Si1-xGex is beneficial to the growth of (Si)n/(Ge)n superlattices. |
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| Keywords: | |
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