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超细凸点节距WLP制备关键工艺技术研究
引用本文:张颖,罗驰.超细凸点节距WLP制备关键工艺技术研究[J].微电子学,2008,38(6).
作者姓名:张颖  罗驰
作者单位:中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060
基金项目:部委预研基金资助项目"模拟集成电路圆片级封装技术(WLP)工艺技术研究"  
摘    要:通过优化结构设计,改善厚胶光刻工艺条件,采用凸点真空回流等举措,解决了制备超细节距圆片级封装(WLP)工艺中遇到的技术难题,提升了WLP的工艺技术水平;并将具有更优性能的BCB材料应用于WLP的介质层,成功制备出凸点节距为90 μm和280 μm的样品.研制的样品已通过相关测试和考核.

关 键 词:超细节距  圆片级封装  苯并环丁烯

Investigation into Key Technology for WLP with Fine-Pitch Solder Bumping
ZHANG Ying,LUO Chi.Investigation into Key Technology for WLP with Fine-Pitch Solder Bumping[J].Microelectronics,2008,38(6).
Authors:ZHANG Ying  LUO Chi
Institution:ZHANG Ying LUO Chi (Sichuan Institute of Solid-State Circuits,China Electronics Technology Group Corp.,Chongqing,P.R.China)
Abstract:
Keywords:Extremely fine-pitch  Wafer level packaging(WLP)  Benzocyclobutene(BCB)  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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