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| 氢气氛生长区熔硅的热处理缺陷及其与辐照缺陷的相互作用 | |
| 作者姓名： | 杜永昌 张玉峰 李大军 张秉忠 孟祥提 |
| 作者单位： | 北京大学物理系(杜永昌，张玉峰，李大军)，清华大学核能所(张秉忠)，清华大学核能所(孟祥提) |
| 摘 要： | 用深能级瞬态谱、红外吸收光谱和少子寿命测量研究了热处理后的氢气氛生长的区熔硅的氢致缺陷及其与辐照缺陷的相互作用。DLTS测得的E_c-0.22eV的电子陷阱相应于500℃—650℃范围热处理生成的氢致缺陷,而在低于500℃和高于650℃范围的热处理时,没有观察到上述电子陷阱,这和少子寿命测量在600℃热处理范围出现极小值是一致的。500℃热处理氢气氛硅经中子辐照后A中心生成率特别低及经辐照后氢气氛硅红外吸收光谱2123cm~(-1)谱带的消失,表明四面体间隙位置的氢原子是俘获空位的很效陷阱之一。 |
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