一种磁流变抛光方法的探讨 |
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作者姓名: | 阳志强 郭忠达 陈智利 刘卫国 |
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作者单位: | 西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,陕西,西安,710032 |
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基金项目: | 陕西省教育厅科研项目 |
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摘 要: | 探讨了一种进行磁流变抛光的方法,针对该方法的运动方式进行了磁流变抛光过程中相对速度和驻留时间的计算,并模拟了相对速度与工件口径、相对速度和时间乘积与工件口径的关系曲线。在理论分析的基础上,进行了相应的工艺实验,分析了该磁流变抛光方法的去除特性,并对中心区域去除特性的不同原因进行了探讨。实验结果研究表明:采用该方法能够实现光学零件除中心区域外的均匀去除。
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关 键 词: | 磁流变抛光 去除特性 相对速度 驻留时间 |
收稿时间: | 2009-01-09 |
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