| 晶态Si3N4／非晶SiO2同轴纳米线的电子显微学研究 |
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| 引用本文： | 尤力平,冉广照.晶态Si3N4／非晶SiO2同轴纳米线的电子显微学研究[J].电子显微学报,2005,24(4):277-277. |
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| 作者姓名： | 尤力平 冉广照 |
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| 作者单位： | 1. 北京大学物理学院,电子显微镜实验室,北京,100871
2. 北京大学物理学院,国家介观物理实验室,北京,100871 |
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| 摘 要： | Si3N4是一种用途广泛的功能材料，Si3N4纳米线有望在电子、光学和机械领域展现其特殊性能：在没有催化剂情况下，我们在硅衬底上直接合成了Si3N4／SiO2同轴纳米线。生长条件：氮气氛．生长温度1250℃．1.5h，自然冷却。利用电子衍射、高分辨像和电子X射线能谱技术，我们用Tacnai F30场发射电子显微镜研究了Si3N4／SiO2同轴纳米线的微观组织结构，探讨了这种纳米线的生长机制。
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| 关 键 词： | Si3N4 电子显微学 SiO2 纳米线 同轴 场发射电子显微镜 非晶 晶态 微观组织结构 |
Electron microscopic studies on crystalline Si3 N4/amorphous SiO2 nanocables |
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| YOU Li-ping,RAN Guang-Zhao.Electron microscopic studies on crystalline Si3 N4/amorphous SiO2 nanocables[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2005,24(4):277-277. |
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| Authors: | YOU Li-ping RAN Guang-Zhao |
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