| 基区Ge组分分布对SiGe pnp HBT的影响 |
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| 引用本文： | 李立, 戴显英, 朱永刚, 胡辉勇,. 基区Ge组分分布对SiGe pnp HBT的影响[J]. 电子器件, 2006, 29(3): 635-638 |
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| 作者姓名： | 李立 戴显英 朱永刚 胡辉勇 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,西安,70071;西安电子科技大学微电子学院,西安,70071;西安电子科技大学微电子学院,西安,70071;西安电子科技大学微电子学院,西安,70071 |
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| 基金项目： | 国家重点实验室基金;国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用SiGe异质结结构提高pnp晶体管的性能，重点研究了Ge组分在基区的三角形分布对晶体管电流增益β和特征频率fτ的影响。三角形分布，又分为起点为零和不为零两种情况。同时为了消除集电结处SiGe异质结的价带势垒对空穴输运的影响，Ge组分向集电区延伸进一步提高了晶体管的性能。得到最大电流增益β可达150和特征频率fτ可达15GHz的pnp SiGe HBT，可以广泛地应用到通信、微波和射频领域。
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| 关 键 词： | SiGe pnp HBT Ge分布 电流增益β 特征频率fT |
| 文章编号： | 1005-9490（2006）03-0635-04 |
| 收稿时间： | 2005-10-07 |
| 修稿时间： | 2005-10-07 |
Influence of Ge in the Base of SiGe pnp HBT |
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| LI Li,DAI Xian-ying,ZHU Yong-gang,HU Hui-yong. Influence of Ge in the Base of SiGe pnp HBT[J]. Journal of Electron Devices, 2006, 29(3): 635-638 |
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| Authors: | LI Li DAI Xian-ying ZHU Yong-gang HU Hui-yong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe pnp HBT |
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