首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

Carrier-Density-Dependent Electron Spin Relaxation in GaAs/AlGaAs Multi Quantum Wells
引用本文:寿倩 吴羽 刘鲁宁 文锦辉 赖天树 林位株. Carrier-Density-Dependent Electron Spin Relaxation in GaAs/AlGaAs Multi Quantum Wells[J]. 中国物理快报, 2005, 22(9): 2320-2323
作者姓名:寿倩 吴羽 刘鲁宁 文锦辉 赖天树 林位株
作者单位:State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275
基金项目:Supported by the National Natural Science Foundation of China Grant No. 10274107, 60178020 and 60378006.
摘    要:

关 键 词:载波密度 电子旋转 量子论 励磁密度
收稿时间:2005-04-02
修稿时间:2005-04-02

Carrier-Density-Dependent Electron Spin Relaxation in GaAs/AlGaAs Multi Quantum Wells
Shou Qian;Wu Yu;Liu LuNing;Wen JinHui;Lai TianShu;Lin WeiZhu. Carrier-Density-Dependent Electron Spin Relaxation in GaAs/AlGaAs Multi Quantum Wells[J]. Chinese Physics Letters, 2005, 22(9): 2320-2323
Authors:Shou Qian  Wu Yu  Liu LuNing  Wen JinHui  Lai TianShu  Lin WeiZhu
Abstract:
Keywords:
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号