| 氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性 |
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| 引用本文： | 陈松岩,谢生,何国荣,刘宝林,蔡加法,陈丽荣,黄美纯.氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性[J].发光学报,2004,25(1):77-80. |
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| 作者姓名： | 陈松岩 谢生 何国荣 刘宝林 蔡加法 陈丽荣 黄美纯 |
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| 作者单位： | 厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 ( 60 0 0 60 0 4)，福建省自然科学基金 (A0 110 0 0 6)资助项目 |
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| 摘 要： | 用电化学腐蚀法制备了多孔硅(PS)，在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理，并进行了光致发光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化，也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带，我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在420—450℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带(3．24eV，382nm)，其发光机理有待于进一步研究。
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| 关 键 词： | 多孔硅(PS) 热退火 紫光发射 蓝光发射 原子力显微镜 |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)01-0077-04 |
| 修稿时间： | 2003年1月6日 |
Surface and Luminescence Property of Porous Silicon Films Annealed in Hydrogen Plasma |
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| CHEN Song-yan,XIE Sheng,HE Guo-rong,LIU Bao-lin,CAI Jia-fa,CHEN Li-rong,HUANG Mei-chun.Surface and Luminescence Property of Porous Silicon Films Annealed in Hydrogen Plasma[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(1):77-80. |
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| Authors: | CHEN Song-yan XIE Sheng HE Guo-rong LIU Bao-lin CAI Jia-fa CHEN Li-rong HUANG Mei-chun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon thermal annealing violet emission band blue emission band atomic force microscopy |
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