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| SNO2掺Sb薄膜导电机理 | |
| 引用本文： | 陈洪,杨珺,杨贤镛.SNO2掺Sb薄膜导电机理[J].科技咨询导报,2007(15):41-41. |
| 作者姓名： | 陈洪 杨珺 杨贤镛 |
| 作者单位： | 湖北工业大学机械工程学院,武汉430068 |
| 摘 要： | 透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛。本文介绍了掺锑氧化锡（ATO）薄膜的导电机理和光电性能。掺锑氧化锡薄膜属四方相金红石结构,薄膜中的Sn呈＋4价,掺杂的Sb分别以＋5和＋3价形式存在。对SnO2薄膜电学性能的研究表明,适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降。 |
| 关 键 词： | 透明导电薄膜 导电性能 锑掺杂二氧化锡薄膜 导电率 |
| 文章编号： | 1673-0534（2007）05（c）-0041-01 |
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