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| Ge2Sb2Te5的化学机械抛光研究进展 | |
| 引用本文： | 何敖东,刘波,宋志棠,冯高明,朱南飞,任佳栋,吴关平,封松林.Ge2Sb2Te5的化学机械抛光研究进展[J].化学学报,2013,71(8):1111-1117. |
| 作者姓名： | 何敖东 刘波 宋志棠 冯高明 朱南飞 任佳栋 吴关平 封松林 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050;中国科学院大学 北京100083 2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 3. 中芯国际集成电路制造公司 上海201203 |
| 基金项目： | Project Supported by the National Key Basic Research Program of China，National Integrate Circuit Research Program of China，National Natural Science Foundation of China，Science and Technology Council of Shanghai，项目受国家重点基础研究发展计划，国家集成电路重大专项，国家自然科学基金，上海市科委 |
| 摘 要： | 相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为最有可能成为下一代存储器的主流产品,Ge2Sb2Te5(GST)作为一种传统相变材料已经被广泛应用在相变存储器中,而GST的化学机械抛光作为相变存储器生产的关键工艺目前已被采用.本工作综述了有关GST的化学机械抛光技术研究进展,讨论了GST化学机械抛光过程的影响因素,如下压力、转速、抛光垫、磨料、氧化剂、表面活性剂等,并对目前GST的化学机械抛光机理进行了归纳,进一步展望了GST的化学机械抛光技术的发展前景. |
| 关 键 词： | Ge2Sb2Te5 化学机械抛光 相变存储器 |
Research and Development of Chemical Mechanical Planarization for Ge2Sb2Te5 |
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| Institution: | He,Aodonga,b Liu,Bo*,a Song,Zhitanga Feng,Gaomingc Zhu,Nanfeic Ren,Jiadongc Wu,Guanpingc Feng,Songlinga(aState Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050)(bUniversity of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China)(cSemiconductor Manufacturing International Corporation,Shanghai 201203,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | Ge2Sb2Tes chemical mechanical planarization phase change memory |
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