首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆的制备、表征及形成机理研究
引用本文:宋超,董相廷,王进贤,刘桂霞.NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆的制备、表征及形成机理研究[J].化学学报,2011,69(20):2471-2478.
作者姓名:宋超  董相廷  王进贤  刘桂霞
作者单位:(长春理工大学化学与环境工程学院 长春 130022)
基金项目:国家自然科学基金(No.50972020); 吉林省科技发展计划重大(Nos.20070402,20060504); 教育部科学技术研究重点(No.207026); 长春市科技计划(No.2007045); 吉林省教育厅“十一五”科学技术研究(No.2007-45,2005109)资助项目
摘    要:采用静电纺丝技术, 通过改进实验装置, 在最佳的纺丝条件下制备了Ni(CH3COO)2+PVP]@SnCl4+PVP]@Zn(CH3COO)2+PVP]@Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆, 将其进行热处理, 制备出NiO@ SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆. 采用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征. 结果表明, 所得产物为同轴四层纳米电缆, 芯层为NiO, 直径为35~55 nm|第二层为SnO2, 厚度为30~50 nm|第三层为Zn2TiO4, 厚度为25~40 nm|壳层为TiO2, 厚度为40~90 nm. 对同轴四层纳米电缆的形成机理进行了探讨.

关 键 词:NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2  同轴四层纳米电缆  静电纺丝技术  形成机理  

Preparation, Characterization and Formation Mechanism of NiO@SnO_2@Zn_2TiO_4@TiO_2 Coaxial Tetralayered Nanocables by Electrospinning
Song,Chao Dong,Xiangting Wang,Jinxian Liu,Guixia.Preparation, Characterization and Formation Mechanism of NiO@SnO_2@Zn_2TiO_4@TiO_2 Coaxial Tetralayered Nanocables by Electrospinning[J].Acta Chimica Sinica,2011,69(20):2471-2478.
Authors:Song  Chao Dong  Xiangting Wang  Jinxian Liu  Guixia
Institution:(School of Chemistry and Environmental Engineering, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022)
Abstract:Ni(CH3COO)2+PVP]@SnCl4+PVP]@Zn(CH3COO)2+PVP]@Ti(OC4H9)4+CH3COOH+ PVP] precursor composite cables have been fabricated through modified electrospinning equipment via electrospinning technique.NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2 coaxial tetralayered nanocables were obtained by calcination of the relevant precursor composite cables.The samples were characterized by thermogravimet-ric-differential thermal analysis(TG-DTA),X-ray diffractometry(XRD),fourier transform infrared spec-troscopy(FT-IR),scanning electron microsco...
Keywords:NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2  coaxial tetralayered nanocables  electrospinning  formation mechanism  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《化学学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《化学学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号