基于宽禁带半导体氧化物微纳材料的紫外探测器研究进展

紫外探测技术是继红外探测与激光探测技术之后的又一项军民两用探测技术，有广阔的应用前景。真空光电倍增管和Si基光电二极管是常见的商品化紫外探测器，但是真空光电倍增管易受高温和电磁辐射干扰，需要在高压下工作；而Si基光电二极管需要昂贵的滤光片。宽禁带半导体紫外探测器克服了上述两种器件面临的一些问题，成为紫外探测器研究的热点。其中宽禁带氧化物材料，具有易于制备高响应高增益器件、有丰富的微纳结构、易于制备微纳器件的特点，引起了人们的广泛关注。本文对宽禁带半导体氧化物材料的微纳结构器件进行梳理，对近年来的一些相关研究进行了综述。其中涉及的氧化物材料包括ZnO,Ga₂O₃,SnO₂,TiO₂等，涉及的器件结构包括金属-半导体-金属型器件，肖特基结型器件，异质结型器件等。