|
|||||
|
|
| 高质量GaN外延薄膜的生长 | |
| 作者姓名： | 吴学华 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学基础物理中心 |
| 摘 要： | 综述了高质量ＧａＮ外延薄膜的生长研究工作的最新重要进展．主要采用的新工艺为：在较低温度下生长ＧａＮ缓冲层后再高温生长ＧａＮ外延薄膜，双气流金属有机化合物气相沉积（ＭＯＣＶＤ），以及用开有窗口的ＳｉＯ２膜截断穿过位错后横向覆盖外延生长（ｅｐｉｔａｘｉａｌｙｌａｔｅｒａｌｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）．Ｘ射线衍射和高分辨电镜研究证实，上述工艺使ＧａＮ外延薄膜质量得到显著提高．利用这种薄膜研制成的蓝色激光管即将投放市场． |
| 关 键 词： | GaN，外延薄膜，蓝色激光管，穿过位错 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |