| n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs电池短路电流密度的理论分析 |
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| 引用本文： | 郑永梅,李以柏.n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs电池短路电流密度的理论分析[J].厦门大学学报(自然科学版),1992(4). |
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| 作者姓名： | 郑永梅 李以柏 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系
(郑永梅)，厦门大学物理学系(李以柏) |
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| 摘 要： | n-GaAs/p-GaAs / p-Ga_(1-x)Al_xAs异质结构背电场背反射薄层电池的短路电流密度计算结果表明:在通常情况下,要提高电池的短路电流密度,必须尽可能减小结深x_j;基区厚度H_1的变化对短路电流密度也有重要影响,在给定的基区扩散长度L_1下,H_1存在一最佳值,为了得到比较大的短路电流密度,建议x_j<0.05μm,H_1=2μm,n-GaAs区少子扩出长度L_r>x_j,L_1>2H_1。
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| 关 键 词： | 砷化镓 太阳电池 短路电流密度 背电场 背反射 |
Theoretical Calculation of Short-circuit Current Density of Thin n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs Solar Cells with Back-surface-reflector |
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| Zheng Yongmei Li Yibai.Theoretical Calculation of Short-circuit Current Density of Thin n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs Solar Cells with Back-surface-reflector[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1992(4). |
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| Authors: | Zheng Yongmei Li Yibai |
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| Institution: | Dept. of Phys. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs Solar cell Short circuit current density Back surface field Back surface reflection |
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