|
|||||
|
|
| 激光器件 半导体激光器 | |
| 摘 要： | TN248．4 2005064083 气态源分子束外延1．3 μm VCSEL器件结构=1．3μm vertical-cavity surface-emitting laser structure grown by GSMBE[刊．中]/刘成(中科院上海微系统与信息技术研 究所,信息功能材料国家重点实验室．上海(200050)),吴 惠桢…∥功能材料与器件学报．-2005,11(2)．-173- 176,191 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||
|
||||||||
|
||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |