| 共振隧穿二极管的力电耦合特性 |
| |
| 引用本文： | 仝召民,薛晨阳,林沂杰,陈尚.共振隧穿二极管的力电耦合特性[J].半导体学报,2008,29(10):1907-1912. |
| |
| 作者姓名： | 仝召民 薛晨阳 林沂杰 陈尚 |
| |
| 作者单位： | 中北大学电子测试技术国家重点实验室中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原,030051;中北大学电子测试技术国家重点实验室中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原,030051;中北大学电子测试技术国家重点实验室中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原,030051;中北大学电子测试技术国家重点实验室中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原,030051 |
| |
| 摘 要： | 报道了微结构中共振隧穿二极管（RTD）的压阻效应. 分析并加工了四梁结构，其中RTD置于应力敏感区. 沿［110］晶向和［110］晶向的应力导致RTD电流-电压曲线的改变，即介观压阻变化，尤其是在微分负阻（NDR）区. 采用不同测试方法，研究了RTD的力电耦合特性，并获得了较相近的压阻系数为1E-9Pa-1.
|
| 关 键 词： | 压阻效应 RTD NDR)力电耦合 |
| 收稿时间： | 1/12/2008 3:23:56 PM |
| 修稿时间： | 6/18/2008 2:59:10 PM |
Mechanic-Electric Coupling Characteristics of a Resonant Tunneling Diode |
| |
| Tong Zhaomin,Xue Chenyang,Lin Yijie and Chen Shang.Mechanic-Electric Coupling Characteristics of a Resonant Tunneling Diode[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(10):1907-1912. |
| |
| Authors: | Tong Zhaomin Xue Chenyang Lin Yijie and Chen Shang |
| |
| Institution: | Tong Zhaomin,Xue Chenyang,Lin Yijie,, Chen Shang(National Key Laboratory of Electronic Measurement Technology,Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement,Ministry of Education,North University of China,Taiyuan 030051,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | piezoresistive effect RTD NDR mechanic-electric coupling |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 |
|
