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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
硅锆复合包覆BiVO4晶体的表征及其机理研究
作者姓名:
张萍
王焕英
刘占荣
刘树彬
次立杰
武戈
张星辰
作者单位:
石家庄学院化工学院,石家庄,050035;衡水学院应用化学系,衡水,053000
基金项目:
河北省科学技术研究与发展计划
摘 要:
利用正硅酸乙酯(TEOS)和氧氯化锆(ZrOCl2·8H2O)的水解反应并经高温煅烧后,在BiVO4晶体表面形成SiO2·ZrSiO4膜,以提高BiVO4的耐高温性.采用红外光谱仪、X射线衍射仪、差热分析仪对产品进行了表征,并得出结论:包覆SiO2·ZrSiO4膜后的BiVO4晶体,其耐热温度由680℃提高到1000℃,并对包覆机理进行了探讨.
关 键 词:
钒酸铋
二氧化硅
硅酸锆
包覆
机理
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