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| 硅锆复合包覆BiVO4晶体的表征及其机理研究 | |
| 引用本文： | 张萍,王焕英,刘占荣,刘树彬,次立杰,武戈,张星辰.硅锆复合包覆BiVO4晶体的表征及其机理研究[J].人工晶体学报,2008,37(5):1141-1144. |
| 作者姓名： | 张萍 王焕英 刘占荣 刘树彬 次立杰 武戈 张星辰 |
| 作者单位： | 石家庄学院化工学院,石家庄,050035;衡水学院应用化学系,衡水,053000 |
| 基金项目： | 河北省科学技术研究与发展计划 |
| 摘 要： | 利用正硅酸乙酯(TEOS)和氧氯化锆(ZrOCl2·8H2O)的水解反应并经高温煅烧后,在BiVO4晶体表面形成SiO2·ZrSiO4膜,以提高BiVO4的耐高温性.采用红外光谱仪、X射线衍射仪、差热分析仪对产品进行了表征,并得出结论:包覆SiO2·ZrSiO4膜后的BiVO4晶体,其耐热温度由680℃提高到1000℃,并对包覆机理进行了探讨. |
| 关 键 词： | 钒酸铋 二氧化硅 硅酸锆 包覆 机理 |
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