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| Nb_3AI、Nb_3 (AlGe)、V_4 (HfZr)临界电流密度的上限 | |
| 作者姓名： | 丁世英 |
| 作者单位： | 南京大学物理系 |
| 摘 要： | 本文根据实验数据,用磁通线阵范性切变的钉扎理论计算了Nb_3Al、Nb_3(Al,Ge)、V_4(Hf,Zr)等高场超导体的临界电流密度(J_c)的上限,并把它们和其它高场超导体作了比较.结果表明,在直到约26T的高场范围内,Nb_3Al的J_c上限最大,大约在26T到38T的极高场范围内,Nb_3(Al,Ge)的J_c上限最大.因而在上述磁场范围内,Nb_3Al和Nb_3(Al,Ge)是最有发展潜力的高场超导体. |
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