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| 高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响 | |
| 引用本文： | 赵福川,夏冠群,杜立新,谈惠祖,莫培根.高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响[J].半导体学报,1999,20(7):562-568. |
| 作者姓名： | 赵福川 夏冠群 杜立新 谈惠祖 莫培根 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 摘 要： | 本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时，Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小，迅速增加、而在富Ｇａ情况下（即Ｓ＞０）随Ｓ的增大趋于零．为了了解杂质对相平衡的影响，本文考虑了非掺ＬＥＣ晶体中两种浓度较高的杂质Ｃ和Ｂ，发现在Ｃ浓度为１．５４×１０１６ｃｍ－３时，平衡Ａｓ压的变化趋势基本不变，Ａｓ压只有少许增加．在Ｂ浓度为２．２×１０１７ｃｍ－３时，平衡Ａｓ压在富Ａｓ侧有较大降低． |
| 关 键 词： | 砷化镓 高温退火 气固相平衡 |
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