|
|||||
|
|
| 基于0．6μm CMOST艺的单片集成有源电感设计 | |
| 引用本文： | 吉小冬,孙玲,包志华.基于0．6μm CMOST艺的单片集成有源电感设计[J].中国集成电路,2006,15(8):49-52. |
| 作者姓名： | 吉小冬 孙玲 包志华 |
| 作者单位： | [1]东南大学集成电路学院 [2]南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室 |
| 基金项目： | 江苏省高技术项目（BG2005022）;南通大学自然科学基金资助项目（052114） |
| 摘 要： | 采用0．6μm CMOS工艺实现了一种CMOS工艺单片集成有源电感的设计，其电路原理图由2个N型场效应晶体管和2个P型场效应晶体管构成，电感值可受直流偏置控制，占用面积小。仿真结果表明，该有源电感电路的工作频率范围为1MHz-IGHz，600MHz频率处电感的Q值达到26，等效电感值为400nH。 |
| 关 键 词： | 有源电感 单片集成 CMOS工艺 场效应晶体管 频率范围 电路原理图 直流偏置 仿真结果 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |