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IR新型-30V P沟道功率MOSFET使设计更简单灵活

引用本文：	江兴.IR新型-30V P沟道功率MOSFET使设计更简单灵活[J].半导体信息,2010(5).

作者姓名：	江兴

摘要：
关键词：	沟道技术功率半导体新型导通电阻沟道器件
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