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| 3C-SiC薄膜反向外延生长工艺的研究 | |
| 作者单位： | ;1.四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室 |
| 摘 要： | 本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以甲烷CH4作为反应碳气体源,氢气H2作为稀释气体,将两者混合后,在n型Si(111)衬底上反向外延生长n型3C-SiC薄膜。采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(RAM)及扫描电子显微镜(SEM)对生长的3C-SiC薄膜进行测试和分析。对比在相同的反应温度下,不同的热处理方式对生长的3C-SiC薄膜质量的影响,进一步探讨SiC薄膜反向外延生长工艺的改进方法。结果表明,较慢的降温速率能够生长出质量较高的3C-SiC薄膜。 |
| 关 键 词： | 立方碳化硅 低压化学气相沉积 硅衬底 反向外延 |
Research on Improvement of Reverse-Epitaxial Growth of 3C-SiC Film |
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