大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷 |
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引用本文: | 赵彦桥 刘彩池 郝秋艳 孙卫忠. 大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 133-136 |
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作者姓名: | 赵彦桥 刘彩池 郝秋艳 孙卫忠 |
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作者单位: | 赵彦桥(河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130);刘彩池(河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130);郝秋艳(河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130);孙卫忠(河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130) |
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基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:60276009)和河北工业大学博士科研启动基金资助项且 |
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摘 要: | 利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.
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关 键 词: | SI-GaAs 化学腐蚀法 位错 微缺陷 |
文章编号: | 0253-4177(2007)S0-0133-04 |
修稿时间: | 2006-12-12 |
Dislocations and Microdefects in Large Diameter SI-GaAs |
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Abstract: | |
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