| 微量掺碳nc-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层 |
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| 作者姓名： | 许颖 刁宏伟 张世斌 励旭东 曾湘波 王文静 廖显伯 |
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| 作者单位： | (1)北京市太阳能研究所有限公司,北京 100083; (2)葡萄牙里斯本大学材料中心,里斯本2829-516 葡萄牙; (3)中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,凝聚态物理中心,北京 100083; (4)中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,凝聚态物理中心,北京 100083;北京市太阳能研究所有限公司,北京 100083 |
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| 摘 要： | 采用等离子增强化学气相沉积方法(PECVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC：H),反应气体为硅烷和甲烷,掺杂气体采用硼烷,沉积温度分别采用333K,353K和373K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加,薄膜的光学带隙增加;薄膜具有较宽的带隙和较高的电导率,同时有较低的激活能(0.06eV).Raman和XRD测量结果表明薄膜存在纳米晶.优化的p型纳米非晶硅碳薄膜作为非晶硅p-i-n太阳电池的窗口层,使得太阳电池的开路电压达到0.94V.
关键词：
光学带隙
纳米硅
薄膜
太阳能电池
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| 关 键 词： | 光学带隙 纳米硅 薄膜 太阳能电池 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(05)/2915-05 |
| 收稿时间： | 2006-06-21 |
| 修稿时间： | 2006-06-21 |
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