| 导模法生长大尺寸高质量β-Ga2O3单晶 |
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| 引用本文： | 练小正,张胜男,程红娟,齐海涛,金雷,徐永宽.导模法生长大尺寸高质量β-Ga2O3单晶[J].半导体技术,2018,43(8):622-626. |
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| 作者姓名： | 练小正 张胜男 程红娟 齐海涛 金雷 徐永宽 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51702297) |
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| 摘 要： | 以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模(EFG)法生长了2英寸(1英寸=2.54 cm)未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶.研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了测试和表征.结果表明,CO2保护气氛能够极大地抑制Ga2O3材料的高温分解,当CO2生长气压为1.5×105 Pa时,Ga2O3的平均分解速率低于1 g/h.(100)面β-Ga2O3单晶的X射线衍射(XRD)摇摆曲线测试结果表明,其半高宽低至29 arcsec,表明晶体具有较高的质量;对晶体(100)面进行了位错腐蚀,结果显示其位错密度较低,约为4.9×104 cm-2;傅里叶变换红外光谱仪测试结果显示,β-Ga2O3单晶在紫外、可见光透过率达到80％以上.
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| 关 键 词： | β-Ga2O3单晶 宽带隙半导体 导模(EFG)法 晶体生长 透过率 |
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